FZT853TA

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DK FZT853TA Diodes Incorporated - 购买 2.8684 2.86842.86842.86842.86842.86842.86842.86842.44772.4477
MS FZT853TA Diodes Incorporated 3,404 购买 6.58 ---------

产品说明FZT853TA

  • DK

    TRANS NPN 100V 6A SOT-223

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  • MS

    两极晶体管 - BJT NPN High Current

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产品参数FZT853TA

  • DK

    型号FZT853TA
    品牌Diodes Incorporated
    晶体管类型NPN
    Current - Collector (Ic) (Max)6A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100V
    不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)340mV @ 500mA,5A
    电流 - 集电极截止(最大值)10nA(ICBO)
    不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)100 @ 2A,2V
    Power - Max3W
    频率 - 跃迁130MHz
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
    供应商器件封装SOT-223

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  • MS

    型号:FZT853TA
    品牌:Diodes Incorporated
    RoHS:符合RoHS
    商标:Diodes Incorporated
    配置:Single
    晶体管极性:NPN
    集电极—基极电压 VCBO:200 V
    集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V
    发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
    最大直流电集电极电流:6 A
    增益带宽产品fT:130 MHz
    最大工作温度:+ 150 C
    安装风格:SMD/SMT
    封装 / 箱体:SOT-223
    直流集电极/Base Gain hfe Min:100 at 10 mA at 2 V, 100 at 2 A at 2 V, 50 at 4 A at 2 V, 20 at 10 A at 2 V
    直流电流增益 hFE 最大值:100
    最大功率耗散:3 W
    最小工作温度:- 55 C
    封装:Reel
    系列:FZT853
    工厂包装数量:1000

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图片FZT853TA

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